SI4948BEY-T1-E3 Vishay

Name: TSI4948bey TSI4948bey
Brand: -
SKU: TSI4948bey
Price: 0.3860 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSI4948bey

Gehäuse: SOIC08

Tranzystor 2xP-MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 2,4A; 1,4W; -55°C ~ 175°C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	2,4A
Maximaler Leistungsverlust:	1,4W
Gehäuse:	SOIC08
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	2xP-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4948BEY-T1-E3 RoHS Gehäuse: SOIC08t/r Datenblatt

Auf Lager:

210 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	250+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8889	0,5614	0,4444	0,4000	0,3860

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4948BEY-T1-GE3 Gehäuse: SOIC08

Externes Lager:

27500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3860

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4948BEY-T1-E3 Gehäuse: SOIC08

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25500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3860

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4948BEY-T1-GE3 Gehäuse: SOIC08

Externes Lager:

10000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3860

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	2,4A
Maximaler Leistungsverlust:	1,4W
Gehäuse:	SOIC08
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	2xP-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD