SI4948BEY-T1-E3 Vishay

Name: TSI4948bey TSI4948bey
Brand: -
SKU: TSI4948bey
Price: 0.3810 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSI4948bey

Gehäuse: SOIC08

Tranzystor 2xP-MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 2,4A; 1,4W; -55°C ~ 175°C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	2,4A
Maximaler Leistungsverlust:	1,4W
Gehäuse:	SOIC08
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4948BEY-T1-E3 RoHS Gehäuse: SOIC08t/r Datenblatt

Auf Lager:

135 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	250+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8774	0,5541	0,4387	0,3948	0,3810

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4948BEY-T1-GE3 Gehäuse: SOIC08

Externes Lager:

27500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,3810

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4948BEY-T1-E3 Gehäuse: SOIC08

Externes Lager:

81000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,3810

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4948BEY-T1-GE3 Gehäuse: SOIC08

Externes Lager:

10000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,3810

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	2,4A
Maximaler Leistungsverlust:	1,4W
Gehäuse:	SOIC08
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	2xP-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD