SI5618-TP
Symbol Micros:
TSI5618-TP
Gehäuse: SOT23
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 200mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 830mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | MCC |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 200mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 830mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | MCC |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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