SI5618-TP

Symbol Micros: TSI5618-TP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 1,9A
Maximaler Leistungsverlust: 830mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MCC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer: SI5618-TP Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
9000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0897
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 1,9A
Maximaler Leistungsverlust: 830mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MCC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole