SI5618A-TP

Symbol Micros: TSI5618A-TP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 240 mOhm; 1,6A; 1,2 W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 240mOhm
Max. Drainstrom: 1,6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,2W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MCC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer: SI5618A-TP RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
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3000 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2759 0,1469 0,1139 0,1052 0,1007
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 240mOhm
Max. Drainstrom: 1,6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,2W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MCC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD