SI5618A-TP

Symbol Micros: TSI5618A-TP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 240 mOhm; 1,6A; 1,2 W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 240mOhm
Max. Drainstrom: 1,6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,2W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MCC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer: SI5618A-TP RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2658 0,1415 0,1097 0,1013 0,0970
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer: SI5618A-TP Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
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Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0970
Standard-Verpackung:
3000
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Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 240mOhm
Max. Drainstrom: 1,6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,2W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MCC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD