SI6562CDQ-T1-GE3 VISHAY

Symbol Micros: TSI6562cdq
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSSOP08
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Transistor N/P-Kanal MOSFET; 20V; 12V; 22mOhm/30mOhm; 6,7A/6,1A; 1,6W/1,7W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 22mOhm
Max. Drainstrom: 6,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: TSSOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 22mOhm
Max. Drainstrom: 6,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: TSSOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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