SI7106DN-T1-E3 PPAK1212

Symbol Micros: TSI7106dn
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 6,2 mOhm; 12,5A; 1,5 W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,2mOhm
Max. Drainstrom: 12,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: PPAK1212
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Msx. Drain-Gate Spannung: 4,5V
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7106DN-T1-E3 Gehäuse: PPAK1212  
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Widerstand im offenen Kanal: 6,2mOhm
Max. Drainstrom: 12,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: PPAK1212
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Msx. Drain-Gate Spannung: 4,5V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C

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