SI7106DN-T1-E3 PPAK1212
Symbol Micros:
TSI7106dn
Gehäuse: PPAK1212
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 6,2 mOhm; 12,5A; 1,5 W; -55°C~150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 6,2mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,5W |
| Gehäuse: | PPAK1212 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 4,5V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 6,2mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,5W |
| Gehäuse: | PPAK1212 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 4,5V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
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