SI7113ADN-T1-GE3 VISHAY

Symbol Micros: TSI7113adn
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PPAK-SO8
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P-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 186 mOhm; 10,8A; 27,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 186mOhm
Max. Drainstrom: 10,8A
Maximaler Leistungsverlust: 27,8W
Gehäuse: PPAK-SO8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI7113ADN-T1-GE3 RoHS Gehäuse: PPAK-SO8  
Auf Lager:
3 stk.
Anzahl Stück 1+ 4+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,5537 1,1300 0,9249 0,8452 0,8179
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Standard-Verpackung:
4
Widerstand im offenen Kanal: 186mOhm
Max. Drainstrom: 10,8A
Maximaler Leistungsverlust: 27,8W
Gehäuse: PPAK-SO8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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