SI7115DN-T1-E3 VISHAY

Symbol Micros: TSI7115dn
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Transistor P-Kanal MOSFET; 150V; 20V; 295mOhm; 8,9A; 52W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 295mOhm
Max. Drainstrom: 8,9A
Maximaler Leistungsverlust: 52W
Gehäuse: PowerPAK 1212-8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 295mOhm
Max. Drainstrom: 8,9A
Maximaler Leistungsverlust: 52W
Gehäuse: PowerPAK 1212-8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Montage: SMD

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