SI7119DN-T1-E3 VISHAY
Symbol Micros:
TSI7119dn
Gehäuse:
Transistor P-Kanal MOSFET; 200V; 20V; 1,05Ohm; 3,8A; 3,7W; -50°C ~ 150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,05mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,7W |
| Gehäuse: | PowerPAK 1212-8 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,05mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,7W |
| Gehäuse: | PowerPAK 1212-8 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -50°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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