SI7121ADN-T1-GE3 VISHAY

Symbol Micros: TSI7121adn
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Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 25V; 26mOhm; 18A; 27,8W; -50°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 26mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 27,8W
Gehäuse: PowerPAK 1212-8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 26mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 27,8W
Gehäuse: PowerPAK 1212-8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Montage: SMD

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