SI7137DP-T1-GE3 VISHAY
Symbol Micros:
TSI7137dp
Gehäuse: PPAK-SO8
Trans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerPAK SO
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,9mOhm |
| Max. Drainstrom: | 42A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 6,25W |
| Gehäuse: | PPAK-SO8 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: SI7137DP-T1-GE3 RoHS
Gehäuse: PPAK-SO8
Auf Lager:
90 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8910 | 0,5909 | 0,4901 | 0,4420 | 0,4237 |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: SI7137DP-T1-GE3 RoHS
Gehäuse: PPAK-SO8
Auf Lager:
190 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8910 | 0,5909 | 0,4901 | 0,4420 | 0,4237 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI7137DP-T1-GE3
Gehäuse: PPAK-SO8
Externes Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0758 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI7137DP-T1-GE3
Gehäuse: PPAK-SO8
Externes Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9966 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-10-22
Anzahl Stück: 3000
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,9mOhm |
| Max. Drainstrom: | 42A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 6,25W |
| Gehäuse: | PPAK-SO8 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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