SI7137DP-T1-GE3 VISHAY

Symbol Micros: TSI7137dp
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PPAK-SO8
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Trans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerPAK SO
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,9mOhm
Max. Drainstrom: 42A
Maximaler Leistungsverlust: 6,25W
Gehäuse: PPAK-SO8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI7137DP-T1-GE3 RoHS Gehäuse: PPAK-SO8  
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 300+ 900+
Nettopreis (EUR) 0,7999 0,5082 0,3999 0,3576 0,3482
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Standard-Verpackung:
300
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7137DP-T1-GE3 Gehäuse: PPAK-SO8  
Externes Lager:
42000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,9323
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7137DP-T1-GE3 Gehäuse: PPAK-SO8  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,0751
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3,9mOhm
Max. Drainstrom: 42A
Maximaler Leistungsverlust: 6,25W
Gehäuse: PPAK-SO8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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