SI7137DP-T1-GE3 VISHAY

Symbol Micros: TSI7137dp
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PPAK-SO8
Trans MOSFET P-CH 20V 42A 8-Pin PowerPAK SO
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,9mOhm
Max. Drainstrom: 42A
Maximaler Leistungsverlust: 6,25W
Gehäuse: PPAK-SO8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI7137DP-T1-GE3 RoHS Gehäuse: PPAK-SO8  
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,8910 0,5909 0,4901 0,4420 0,4237
Standard-Verpackung:
300
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI7137DP-T1-GE3 RoHS Gehäuse: PPAK-SO8  
Auf Lager:
190 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,8910 0,5909 0,4901 0,4420 0,4237
Standard-Verpackung:
500
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7137DP-T1-GE3 Gehäuse: PPAK-SO8  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,0758
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7137DP-T1-GE3 Gehäuse: PPAK-SO8  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,9966
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-10-22
Anzahl Stück: 3000
Widerstand im offenen Kanal: 3,9mOhm
Max. Drainstrom: 42A
Maximaler Leistungsverlust: 6,25W
Gehäuse: PPAK-SO8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD