SI7139DP smd Vishay

Symbol Micros: TSI7139dp

Gehäuse: SO-8

P-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 9mOhm; 40A; 48W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI7139DP-GE3; SI7139DP-T1-GE3;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	9mOhm
Max. Drainstrom:	40A
Maximaler Leistungsverlust:	48W
Gehäuse:	SO-8
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI7139DP T1-GE3 RoHS Gehäuse: SO-8

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,6596	1,3250	1,1338	1,0176	0,9767

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7139DP-T1-GE3 Gehäuse: SO-8

Externes Lager:

1375 stk.

Anzahl Stück	25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,1021

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7139DP-T1-GE3 Gehäuse: SO-8

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,9767

Widerstand im offenen Kanal:	9mOhm
Max. Drainstrom:	40A
Maximaler Leistungsverlust:	48W
Gehäuse:	SO-8
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD