SI7149ADP-TI-GE3 Vishay

Name: TSI7149adp TSI7149adp
Brand: Vishay
SKU: TSI7149adp
Price: 0.2531 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSI7149adp

Gehäuse: SO-8

P-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 9,5 mOhm; 50A; 48W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI7149ADP-TI-E3; SI7149ADP-GE3;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	9,5mOhm
Max. Drainstrom:	50A
Maximaler Leistungsverlust:	48W
Gehäuse:	SO-8
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	25V

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI7149ADP-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SO-8

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Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7720	0,4877	0,3860	0,3513	0,3352

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7149ADP-T1-GE3 Gehäuse: SO-8

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Anzahl Stück	25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
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Geplantes Datum:
2027-12-30

Anzahl Stück: 3000

Widerstand im offenen Kanal:	9,5mOhm
Max. Drainstrom:	50A
Maximaler Leistungsverlust:	48W
Gehäuse:	SO-8
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	25V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD