SI7149ADP-TI-GE3 Vishay

Symbol Micros: TSI7149adp

Gehäuse: SO-8

P-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 9,5 mOhm; 50A; 48W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI7149ADP-TI-E3; SI7149ADP-GE3;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	9,5mOhm
Max. Drainstrom:	50A
Maximaler Leistungsverlust:	48W
Gehäuse:	SO-8
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7149ADP-T1-GE3 Gehäuse: SO-8

Externes Lager:

12000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3171

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7149ADP-T1-GE3 Gehäuse: SO-8

Externes Lager:

33000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2595

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7149ADP-T1-GE3 Gehäuse: SO-8

Externes Lager:

10775 stk.

Anzahl Stück	25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3420

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2025-09-22

Anzahl Stück: 200

Widerstand im offenen Kanal:	9,5mOhm
Max. Drainstrom:	50A
Maximaler Leistungsverlust:	48W
Gehäuse:	SO-8
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD