SI7149ADP-TI-GE3 Vishay

Symbol Micros: TSI7149adp
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Gehäuse: SO-8
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P-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 9,5 mOhm; 50A; 48W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI7149ADP-TI-E3; SI7149ADP-GE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9,5mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Max. Drainstrom: 50A
Gehäuse: SO-8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI7149ADP-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SO-8  
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Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7793 0,4923 0,3897 0,3547 0,3383
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200
         
 
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Geplantes Datum:
2027-12-30
Anzahl Stück: 3000
Widerstand im offenen Kanal: 9,5mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Max. Drainstrom: 50A
Gehäuse: SO-8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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