SI7149ADP-TI-GE3 Vishay

Symbol Micros: TSI7149adp

Gehäuse: SO-8

P-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 9,5 mOhm; 50A; 48W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI7149ADP-TI-E3; SI7149ADP-GE3;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	9,5mOhm
Max. Drainstrom:	50A
Maximaler Leistungsverlust:	48W
Gehäuse:	SO-8
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7149ADP-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SO-8 Datenblatt

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Anzahl Stück	2+	10+	50+	300+	900+
Nettopreis (EUR)	0,7834	0,4964	0,3905	0,3505	0,3411

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7149ADP-T1-GE3 Gehäuse: SO-8

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105000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2604

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7149ADP-T1-GE3 Gehäuse: SO-8

Externes Lager:

5775 stk.

Anzahl Stück	25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3433

Widerstand im offenen Kanal:	9,5mOhm
Max. Drainstrom:	50A
Maximaler Leistungsverlust:	48W
Gehäuse:	SO-8
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD