SI7153DN-T1-GE3 

Symbol Micros: TSI7153DN-T1-GE3
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Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 25V; 15mOhm; 18A; 52W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 52W
Gehäuse: PowerPAK 1212-8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7153DN-T1-GE3 Gehäuse:    
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Nettopreis (EUR) 0,2589
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Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 52W
Gehäuse: PowerPAK 1212-8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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