SI7155DP VISHAY

Symbol Micros: TSI7155dp
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PPAK
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Transistor P-Kanal MOSFET; 40V; 20V; 3,6mOhm; 100A; 104W; -55°C ~ 150°C; SI7155DP-T1-GE3
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,6mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 104W
Gehäuse: PowerPAK SO-8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7155DP-T1-GE3 Gehäuse: PPAK  
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Nettopreis (EUR) 1,1935
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40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3,6mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 104W
Gehäuse: PowerPAK SO-8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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