SI7232DN-T1-GE3 VISHAY

Symbol Micros: TSI7232dn
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PPAK1212
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 24mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 2,6W
Gehäuse: PPAK1212
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7232DN-T1-GE3 Gehäuse: PPAK1212  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3786
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 24mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 2,6W
Gehäuse: PPAK1212
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole