SI7288DP-T1-GE3 VISHAY
Symbol Micros:
TSI7288dp
Gehäuse: PPAK-SO8
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin PowerPAK SO EP
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 22mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,6W |
| Gehäuse: | PPAK-SO8 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 22mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,6W |
| Gehäuse: | PPAK-SO8 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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