SI7415DN-T1-E3 VISHAY

Symbol Micros: TSI7415dn
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Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 110mOhm; 5,7A; 3,8W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 5,7A
Maximaler Leistungsverlust: 3,8W
Gehäuse: PowerPAK 1212-8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7415DN-T1-GE3 Gehäuse:    
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Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5838
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3000
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Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 5,7A
Maximaler Leistungsverlust: 3,8W
Gehäuse: PowerPAK 1212-8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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