SI7431DP-T1-E3

Symbol Micros: TSI7431dp
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PPAK-SO8
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Trans MOSFET P-CH 200V 2.2A 8-Pin PowerPAK SO SI7431DP-T1-E3; SI7431DP-T1-GE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 180mOhm
Max. Drainstrom: 2,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,9W
Gehäuse: PPAK-SO8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7431DP-T1-GE3 Gehäuse: PPAK-SO8  
Externes Lager:
9000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,4633
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 180mOhm
Max. Drainstrom: 2,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,9W
Gehäuse: PPAK-SO8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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