SI7431DP-T1-E3
Symbol Micros:
TSI7431dp
Gehäuse: PPAK-SO8
Trans MOSFET P-CH 200V 2.2A 8-Pin PowerPAK SO SI7431DP-T1-E3; SI7431DP-T1-GE3;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 180mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,9W |
| Gehäuse: | PPAK-SO8 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI7431DP-T1-GE3
Gehäuse: PPAK-SO8
Externes Lager:
6000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,8242 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI7431DP-T1-GE3
Gehäuse: PPAK-SO8
Externes Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,5489 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI7431DP-T1-E3
Gehäuse: PPAK-SO8
Externes Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,5489 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 180mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,9W |
| Gehäuse: | PPAK-SO8 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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