SI7461DP-T1-E3 VISHAY

Name: TSI7461dp TSI7461dp
Brand: Vishay
SKU: TSI7461dp
Price: 1.2147 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSI7461dp

Gehäuse: PPAK-SO8

P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 19mOhm; 8,6A; 1,9 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI7461DP; SI7461DP-T1-E3; SI7461DP-GE3; SI7461DP-T1-GE3;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	19mOhm
Max. Drainstrom:	8,6A
Maximaler Leistungsverlust:	1,9W
Gehäuse:	PPAK-SO8
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI7461DP-GE3 RoHS Gehäuse: PPAK-SO8

Auf Lager:

10 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	25+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	1,8221	1,4469	1,2945	1,2358	1,2147

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7461DP-T1-E3 Gehäuse: PPAK-SO8

Externes Lager:

21000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,2147

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7461DP-T1-GE3 Gehäuse: PPAK-SO8

Externes Lager:

18000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,2147

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7461DP-T1-GE3 Gehäuse: PPAK-SO8

Externes Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,2147

Widerstand im offenen Kanal:	19mOhm
Max. Drainstrom:	8,6A
Maximaler Leistungsverlust:	1,9W
Gehäuse:	PPAK-SO8
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD