SI7461DP-T1-E3 VISHAY
Symbol Micros:
TSI7461dp
Gehäuse: PPAK-SO8
P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 19mOhm; 8,6A; 1,9 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI7461DP; SI7461DP-T1-E3; SI7461DP-GE3; SI7461DP-T1-GE3;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 19mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,9W |
| Max. Drainstrom: | 8,6A |
| Gehäuse: | PPAK-SO8 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: SI7461DP-GE3 RoHS
Gehäuse: PPAK-SO8
Auf Lager:
10 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,8130 | 1,4397 | 1,2880 | 1,2297 | 1,2087 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 19mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,9W |
| Max. Drainstrom: | 8,6A |
| Gehäuse: | PPAK-SO8 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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