SI7469DP-T1-E3 VISHAY
Symbol Micros:
TSI7469dp
Gehäuse: PPAK-SO8
P-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 29mOhm; 10,2A; 5,2 W; -55 °C ~ 150 °C; SI7469DP-T1-GE3
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 29mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 5,2W |
| Gehäuse: | PPAK-SO8 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI7469DP-T1-GE3
Gehäuse: PPAK-SO8
Externes Lager:
27000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0834 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI7469DP-T1-E3
Gehäuse: PPAK-SO8
Externes Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0496 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI7469DP-T1-GE3
Gehäuse: PPAK-SO8
Externes Lager:
12000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0496 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 29mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 5,2W |
| Gehäuse: | PPAK-SO8 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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