SI7489DP-T1-E3 VISHAY
Symbol Micros:
TSI7489dp
Gehäuse: PPAK-SO8
Trans MOSFET P-CH 100V 7.8A 8-Pin PowerPAK SO SI7489DP-T1-GE3; SI7489DP-GE3;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 47mOhm |
| Max. Drainstrom: | 7,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 5,2W |
| Gehäuse: | PPAK-SO8 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 47mOhm |
| Max. Drainstrom: | 7,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 5,2W |
| Gehäuse: | PPAK-SO8 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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