SI7615ADN-T1-GE3

Name: TSI7615adn TSI7615adn
Brand: Vishay
SKU: TSI7615adn
Price: 0.3413 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSI7615adn

Gehäuse: PPAK1212

P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 6mOhm; 22.1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	6mOhm
Max. Drainstrom:	22,1A
Maximaler Leistungsverlust:	52W
Gehäuse:	PPAK1212
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI7615ADN-T1-GE3 RoHS Gehäuse: PPAK1212 Datenblatt

Auf Lager:

9 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7862	0,4967	0,3931	0,3578	0,3413

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI7615ADN-T1-GE3 RoHS Gehäuse: PPAK1212 Datenblatt

Auf Lager:

1 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7862	0,4967	0,3931	0,3578	0,3413

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7615ADN-T1-GE3 RoHS Gehäuse: PPAK1212 Datenblatt

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3000 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7862	0,4967	0,3931	0,3578	0,3413

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7615ADN-T1-GE3 Gehäuse: PPAK1212

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3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3413

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7615ADN-T1-GE3 Gehäuse: PPAK1212

Externes Lager:

6000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3413

Widerstand im offenen Kanal:	6mOhm
Max. Drainstrom:	22,1A
Maximaler Leistungsverlust:	52W
Gehäuse:	PPAK1212
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD