SI7617DN-T1-GE3 Vishay

Symbol Micros: TSI7617dn
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PPAK1212
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Tranzystor P-MOSFET; 30V; 25V; 22,2mOhm; 35A; 52W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 22,2mOhm
Max. Drainstrom: 35A
Maximaler Leistungsverlust: 52W
Gehäuse: PPAK1212
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 22,2mOhm
Max. Drainstrom: 35A
Maximaler Leistungsverlust: 52W
Gehäuse: PPAK1212
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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