SI7655ADN-T1-GE3 VISHAY
Symbol Micros:
TSI7655adn
Gehäuse:
Transistor P-Kanal MOSFET; 20V; 12V; 9mOhm; 40A; 57W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 9mOhm |
| Max. Drainstrom: | 40A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 57W |
| Gehäuse: | PowerPAK 1212-8 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 9mOhm |
| Max. Drainstrom: | 40A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 57W |
| Gehäuse: | PowerPAK 1212-8 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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