SI7818DN-T1-E3 VISHAY

Symbol Micros: TSI7818dn
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PPAK1212
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 8-Pin PowerPAK 1212 SI7818DN; SI7818DN-T1-GE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 142mOhm
Max. Drainstrom: 2,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: PPAK1212
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 142mOhm
Max. Drainstrom: 2,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: PPAK1212
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole