SI7850DP-T1-E3 VISHAY
Symbol Micros:
TSI7850dp
Gehäuse: PPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 31mOhm |
| Max. Drainstrom: | 6,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,8W |
| Gehäuse: | PowerPAK SO-8 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 31mOhm |
| Max. Drainstrom: | 6,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,8W |
| Gehäuse: | PowerPAK SO-8 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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