SI7949DP-T1-E3 VISHAY

Symbol Micros: TSI7949dp
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Transistor 2xP-MOSFET; 60V; 20V; 80mOhm; 3,2A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 3,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: PowerPAK SO-8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7949DP-T1-GE3 Gehäuse:    
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5251
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI7949DP-T1-E3 Gehäuse:    
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3000 stk.
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Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
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6000 stk.
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Nettopreis (EUR) 0,5194
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Nettopreis (EUR) 0,5448
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Der Mindestbestellwert muss
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30000 stk.
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Nettopreis (EUR) 0,5317
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Der Mindestbestellwert muss
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3000 stk.
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Nettopreis (EUR) 0,5557
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 3,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: PowerPAK SO-8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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