SI9407BDY
Symbol Micros:
TSI9407bdy
Gehäuse: SOP08
P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 150 mOhm; 4,7A; 5W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI9407AEY; SI9407BDY-T1-E3; SI9407BDY-T1-GE3; SI9407BDY-GE3;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 150mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 5W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: SI9407BDY-T1-GE3 RoHS
Gehäuse: SOP08t/r
Auf Lager:
190 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 700+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7563 | 0,4768 | 0,3758 | 0,3429 | 0,3288 |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: SI9407BDY-T1-GE3 RoHS
Gehäuse: SOP08t/r
Auf Lager:
3 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 700+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7563 | 0,4768 | 0,3758 | 0,3429 | 0,3288 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 150mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 5W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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