SI9926BDY
Symbol Micros:
TSI9926bdy
Gehäuse: SOP08
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 30mOhm; 6,2A; 1,14 W; -55 °C ~ 150 °C; SI9926BDY-T1-E3, SI9926BDY-T1-GE3
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 30mOhm |
| Max. Drainstrom: | 6,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,14W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: SI9926BDY-T1-E3 RoHS
Gehäuse: SOP08t/r
Auf Lager:
200 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6483 | 0,4110 | 0,3241 | 0,2959 | 0,2819 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 30mOhm |
| Max. Drainstrom: | 6,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,14W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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