SI9926BDY

Symbol Micros: TSI9926bdy
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Gehäuse: SOP08
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2xN-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 30mOhm; 6,2A; 1,14 W; -55 °C ~ 150 °C; SI9926BDY-T1-E3, SI9926BDY-T1-GE3

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 6,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,14W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI9926BDY-T1-E3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
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Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6620 0,4187 0,3298 0,3018 0,2877
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 6,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,14W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Montage: SMD

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