SI9933CDY
Symbol Micros:
TSI9933cdy
Gehäuse: SOP08
2xP-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 94mOhm; 4A; 3,1 W; -50 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI9933CDY-T1-GE3; SI9933CDY-GE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 94mOhm |
Max. Drainstrom: | 4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 3,1W |
Gehäuse: | SOP08 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | 2xP-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI9933CDY-T1-GE3 RoHS
Gehäuse: SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1163 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5690 | 0,3456 | 0,2657 | 0,2398 | 0,2278 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI9933CDY-T1-GE3
Gehäuse: SOP08
Externes Lager:
30000 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2278 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI9933CDY-T1-GE3
Gehäuse: SOP08
Externes Lager:
7500 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2278 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI9933CDY-T1-GE3
Gehäuse: SOP08
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2278 |
Widerstand im offenen Kanal: | 94mOhm |
Max. Drainstrom: | 4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 3,1W |
Gehäuse: | SOP08 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | 2xP-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -50°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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