SI9945BDY
Symbol Micros:
TSI9945bdy
Gehäuse: SOP08
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 72mOhm; 5,3A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI9945BDY-T1-GE3; SI9945BDY-GE3;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 72mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,1W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: SI9945BDY-T1-GE3 RoHS
Gehäuse: SOP08t/r
Auf Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7824 | 0,4910 | 0,4088 | 0,3642 | 0,3407 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 72mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,1W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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