G180N06S2
Symbol Micros:
TSI9945bdy GO
Gehäuse: SOP08
MOSFET-Transistor; SOP-8; DUAL; N-Channel; NO ESD; 60V; 8A; 2W; 1,5 V; 16,5 m?; 18m? Si4946CDY; Si9945BDY; Si9634DY; G05N06S2 GOFORD; G06N06S2 GOFORD; G09N06S2 GOFORD
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 22mOhm |
| Max. Drainstrom: | 8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | GOFORD |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 22mOhm |
| Max. Drainstrom: | 8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | GOFORD |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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