SIA431DJ-T1-GE3

Symbol Micros: TSIA431dj
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PPAK-SC70-6
Trans MOSFET P-CH 20V 9.6A 6-Pin PowerPAK SC-70
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 9,6A
Maximaler Leistungsverlust: 3,5W
Gehäuse: PPAK-SC70-6
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SIA431DJ-T1-GE3 RoHS Gehäuse: PPAK-SC70-6 Datenblatt
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Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7038 0,4449 0,3507 0,3201 0,3060
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200
         
 
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Geplantes Datum:
2025-11-21
Anzahl Stück: 200
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 9,6A
Maximaler Leistungsverlust: 3,5W
Gehäuse: PPAK-SC70-6
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD