SIA433EDJ-T1-GE3

Name: TSIA433edj TSIA433edj
Brand: Vishay
SKU: TSIA433edj
Price: 0.4037 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSIA433edj

Gehäuse: PPAK-SC70-6

P-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 65mOhm; 12A; 19W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	65mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	19W
Gehäuse:	SC70-6
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SIA433EDJ-T1-GE3 RoHS BL. Gehäuse: PPAK-SC70-6 Datenblatt

Auf Lager:

20 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,9286	0,5819	0,4845	0,4299	0,4037

Widerstand im offenen Kanal:	65mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	19W
Gehäuse:	SC70-6
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD