SIA433EDJ-T1-GE3

Name: TSIA433edj TSIA433edj
Brand: Vishay
SKU: TSIA433edj
Price: 0.3868 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSIA433edj

Gehäuse: PPAK-SC70-6

P-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 65mOhm; 12A; 19W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	65mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	19W
Gehäuse:	SC70-6
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Max. Gate-Source Spannung:	12V

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SIA433EDJ-T1-GE3 RoHS Gehäuse: PPAK-SC70-6 Datenblatt

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100 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8895	0,5642	0,4436	0,4050	0,3868

Widerstand im offenen Kanal:	65mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	19W
Gehäuse:	SC70-6
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD