SIA433EDJ-T1-GE3

Symbol Micros: TSIA433edj

Gehäuse: PPAK-SC70-6

P-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 65mOhm; 12A; 19W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	65mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	19W
Gehäuse:	SC70-6
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SIA433EDJ-T1-GE3 Gehäuse: PPAK-SC70-6

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2158

Widerstand im offenen Kanal:	65mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	19W
Gehäuse:	SC70-6
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD