SIA445EDJT-T1-GE3

Symbol Micros: TSIA445EDJT-T1-GE3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PPAK-SC70-6
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Transistor P-Kanal MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 12A; 19W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 19W
Gehäuse: PPAK-SC70-6
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 19W
Gehäuse: PPAK-SC70-6
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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