SIA910EDJ-T1-GE3

Symbol Micros: TSIA910edj
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Gehäuse: SC70-6
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2xN-MOSFET-Transistor; 12V; 8V; 42mOhm; 4,5A; 7,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 42mOhm
Max. Drainstrom: 4,5A
Maximaler Leistungsverlust: 7,8W
Gehäuse: SC70-6
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SIA910EDJ-T1-GE3 Gehäuse: SC70-6  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2237
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 42mOhm
Max. Drainstrom: 4,5A
Maximaler Leistungsverlust: 7,8W
Gehäuse: SC70-6
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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