SIA910EDJ-T1-GE3
Symbol Micros:
TSIA910edj
Gehäuse: SC70-6
2xN-MOSFET-Transistor; 12V; 8V; 42mOhm; 4,5A; 7,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 42mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 7,8W |
| Gehäuse: | SC70-6 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 12V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 42mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 7,8W |
| Gehäuse: | SC70-6 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 12V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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