SIHG20N50C-E3
Symbol Micros:
TSIHG20n50c
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 270 mOhm; 20A; 250 W; -55 °C ~ 150 °C; VISHAY SIHG20N50C-E3 Transistor N-Channel THT
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 270mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 250W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SIHG20N50C-E3 RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,4599 | 1,9524 | 1,7456 | 1,6705 | 1,6399 |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: SIHG20N50C-E3 RoHS
Gehäuse: TO247
Auf Lager:
12 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,4599 | 1,9524 | 1,7456 | 1,6705 | 1,6399 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 270mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 250W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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