SIHG20N50C-E3

Symbol Micros: TSIHG20n50c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 270 mOhm; 20A; 250 W; -55 °C ~ 150 °C; VISHAY SIHG20N50C-E3 Transistor N-Channel THT
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 250W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SIHG20N50C-E3 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,3996 1,9045 1,7028 1,6295 1,5997
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Standard-Verpackung:
25/100
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 250W
Gehäuse: TO247
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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