SIHK045N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix

Symbol Micros: TSIHK045N60E-T1-GE3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PPAK-SO8
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Transistor N-Channel MOSFET; 600V; +/-30V; 49mOhm; 48A; 278W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 49mOhm
Max. Drainstrom: 48A
Maximaler Leistungsverlust: 278W
Gehäuse: PPAK-SO8
Hersteller: Siliconix
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SIHK045N60E-T1-GE3 RoHS Gehäuse: PPAK-SO8 Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 5,8329 5,3739 5,0914 4,9479 4,8608
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Standard-Verpackung:
10
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SIHK045N60E-T1-GE3 Gehäuse: PPAK-SO8  
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 4,8608
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 49mOhm
Max. Drainstrom: 48A
Maximaler Leistungsverlust: 278W
Gehäuse: PPAK-SO8
Hersteller: Siliconix
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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