SIHP12N60E-E3 Vishay
Symbol Micros:
TSIHP12n60e
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 380 mOhm; 12A; 147W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SIHP12N60E-GE3;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 380mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 147W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 30V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 380mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 147W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 30V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 10V |
| Transistor-Typ: | MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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