SIHP12N60E-E3 Vishay

Symbol Micros: TSIHP12n60e
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 380 mOhm; 12A; 147W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SIHP12N60E-GE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 380mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 147W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SIHP12N60E-GE3 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
700 stk.
Anzahl Stück 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,1088
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 380mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 147W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
Transistor-Typ: MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole