SIR426DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Symbol Micros: TSIR426dp
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PPAK
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MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12,5mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 41,7W
Gehäuse: PowerPAK SO-8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SIR426DP-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,2348 0,8634 0,7131 0,6584 0,6493
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Standard-Verpackung:
200
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SIR426DP-T1-GE3 Gehäuse: PPAK  
Externes Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,1717
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Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 12,5mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 41,7W
Gehäuse: PowerPAK SO-8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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