SIR638DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Symbol Micros: TSIR638dp
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Transistor N-Kanal MOSFET; 40V; 20V; 1,16mOhm; 100A; 104W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 0,00116Ohm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 104W
Gehäuse: PowerPAK SO-8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 0,00116Ohm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 104W
Gehäuse: PowerPAK SO-8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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