SIR873DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Symbol Micros: TSIR873dp
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse:  
MOSFET P-CH 150V 37A POWERPAKSO
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 0,0475Ohm
Max. Drainstrom: 37A
Maximaler Leistungsverlust: 104W
Gehäuse: PowerPAK SO-8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 0,0475Ohm
Max. Drainstrom: 37A
Maximaler Leistungsverlust: 104W
Gehäuse: PowerPAK SO-8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD