SIR880BDP-T1-RE3
Symbol Micros:
TSIR880BDP
Gehäuse: PPAK-SO8
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 8mOhm; 70,6A; 71,4W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 8mOhm |
| Max. Drainstrom: | 70,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 71,4W |
| Gehäuse: | PPAK-SO8 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 8mOhm |
| Max. Drainstrom: | 70,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 71,4W |
| Gehäuse: | PPAK-SO8 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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