SIR882BDP-T1-RE3 

Symbol Micros: TSIR882BDP-T1-RE3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PPAK-SO8
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-CHANNEL 100V (D-S) MOSFET POWE Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,9mOhm
Max. Drainstrom: 67,5A
Maximaler Leistungsverlust: 83,3W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 6,9mOhm
Max. Drainstrom: 67,5A
Maximaler Leistungsverlust: 83,3W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole