SIRA10BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Symbol Micros:
TSIRA10bdp
Gehäuse: PPAK-SO8
MOSFET N-CHAN 30V
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 5mOhm |
Max. Drainstrom: | 30A |
Maximaler Leistungsverlust: | 5W |
Gehäuse: | PPAK-SO8 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 5mOhm |
Max. Drainstrom: | 30A |
Maximaler Leistungsverlust: | 5W |
Gehäuse: | PPAK-SO8 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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