SIRA28BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Symbol Micros: TSIRA28bdp
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PPAK-SO8
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Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 12mOhm; 38A; 17W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 17W
Max. Drainstrom: 38A
Gehäuse: PPAK-SO8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SIRA28BDP-T1-GE3 RoHS Gehäuse: PPAK-SO8 Datenblatt
Auf Lager:
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Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 110+ 550+
Nettopreis (EUR) 1,0057 0,6697 0,5530 0,4970 0,4783
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Standard-Verpackung:
110
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 17W
Max. Drainstrom: 38A
Gehäuse: PPAK-SO8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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