SIRA28BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Symbol Micros: TSIRA28bdp
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PPAK-SO8
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Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 12mOhm; 38A; 17W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 38A
Maximaler Leistungsverlust: 17W
Gehäuse: PPAK-SO8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 38A
Maximaler Leistungsverlust: 17W
Gehäuse: PPAK-SO8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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