SIRA74DP-T1-GE3 

Symbol Micros: TSIRA74DP-T1-GE3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PPAK-SO8
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N-CHANNEL 40 V (D-S) 150C MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,1mOhm
Max. Drainstrom: 24A
Maximaler Leistungsverlust: 4,1W
Gehäuse: PPAK-SO8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 6,1mOhm
Max. Drainstrom: 24A
Maximaler Leistungsverlust: 4,1W
Gehäuse: PPAK-SO8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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