SIRA74DP-T1-GE3
Symbol Micros:
TSIRA74DP-T1-GE3
Gehäuse: PPAK-SO8
N-CHANNEL 40 V (D-S) 150C MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 6,1mOhm |
Max. Drainstrom: | 24A |
Maximaler Leistungsverlust: | 4,1W |
Gehäuse: | PPAK-SO8 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SIRA74DP-T1-GE3
Gehäuse: PPAK-SO8
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,4019 |
Widerstand im offenen Kanal: | 6,1mOhm |
Max. Drainstrom: | 24A |
Maximaler Leistungsverlust: | 4,1W |
Gehäuse: | PPAK-SO8 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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