SIRA90DP

Symbol Micros: TSIRA90dp
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Gehäuse: PowerSO08
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MOSFET N-CH 30V 65,8A POWERPAKSO SIRA90DP-T1-GE3; SIRA90DP-T1-RE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,15mOhm
Max. Drainstrom: 65,8A
Maximaler Leistungsverlust: 6,25W
Gehäuse: PowerSO08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SIRA90DP-T1-GE3 Gehäuse: PowerSO08  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5120
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,15mOhm
Max. Drainstrom: 65,8A
Maximaler Leistungsverlust: 6,25W
Gehäuse: PowerSO08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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