SIRA90DP
Symbol Micros:
TSIRA90dp
Gehäuse: PowerSO08
MOSFET N-CH 30V 65,8A POWERPAKSO SIRA90DP-T1-GE3; SIRA90DP-T1-RE3;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,15mOhm |
| Max. Drainstrom: | 65,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 6,25W |
| Gehäuse: | PowerSO08 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,15mOhm |
| Max. Drainstrom: | 65,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 6,25W |
| Gehäuse: | PowerSO08 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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