SISH615ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Symbol Micros: TSISH615adn
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MOSFET P-CHAN 20 V POWERPAK 1212
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9,8mOhm
Max. Drainstrom: 22,1A
Maximaler Leistungsverlust: 3,7W
Gehäuse: PPAK1212-8SH
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 9,8mOhm
Max. Drainstrom: 22,1A
Maximaler Leistungsverlust: 3,7W
Gehäuse: PPAK1212-8SH
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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