SISH625DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Symbol Micros:
TSISH625dn
Gehäuse: PPAK1212
MOSFET P-CHAN 30 V POWERPAK 1212
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 11mOhm |
| Max. Drainstrom: | 17,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,7W |
| Gehäuse: | PPAK1212-8SH |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SISH625DN-T1-GE3
Gehäuse: PPAK1212
Externes Lager:
6000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2613 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SISH625DN-T1-GE3
Gehäuse: PPAK1212
Externes Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2752 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 11mOhm |
| Max. Drainstrom: | 17,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,7W |
| Gehäuse: | PPAK1212-8SH |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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